MIO1200-33E11

功能描述:IGBT 模块 1200 Amps 3300V

RoHS:

制造商:Infineon Technologies

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.95 V

在25 C的连续集电极电流:230 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

功率耗散:445 W

最大工作温度:+ 125 C

封装 / 箱体:34MM

封装:

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